单晶硅作为信息时代的基石，被广泛应用于芯片制造和微电子器件当中。但是这种脆性材料，容易引发组件断裂失效，而使器件丧失功能性。

5月29日，Nature Communications发表了题为“Achievingmicron-scale plasticity and theoretical strength in Silicon”的研究论文。报道了经过表面处理的单晶硅，在微米和纳米尺度展现优越的机械性能，此外还观察到了全新的由尺寸调控的形变机理和缺陷行为。这种方法加工的单晶硅强度（CRSS~4 GPa）接近理论值，弹性极限明显升高，更为惊喜的发现是单晶硅在室温条件下，首次在微米尺度展现出了塑性，首次观察到了由尺寸调控的新机制，这使得研究人员对单晶硅的形变机理和缺陷行为又有了新的认识。

尺寸调控的形变机理，纳米尺度内为全位错，微米尺度内则为孪晶和层错。

为了让大家更了解相关研究，

我们将邀请了论文第一作者

瑞士苏黎世联邦理工学院陈铭博士在线分享

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